中國全力推動半導體自給自足，近期「中國極紫外光機（EUV）自主研發計畫」再次成為市場熱議焦點。這起被堪稱中國版「曼哈頓計畫」，專家指出這類雄心勃勃的投資與宣傳背後，往往隱含極高的技術落差、資金風險甚至詐騙危機。這不僅是技術競爭問題，也暴露出中國半導體投資環境中的一連串吸金與投資泡沫問題。
美國科技政策與出口管制專家表示，外界對中國是否推動類似「曼哈頓計畫」級別EUV曝光機研發存在過高期待。實際上，即便在實驗室階段取得一些進展，距離可進入量產階段的穩定設備，仍存在幾個世代技術與穩定度差距，意味著這項高額投資未必能達到商業化與經濟回報。
EUV曝光機是現代最先進製程晶片製造不可或缺的核心設備，全球目前僅像ASML企業能量產此類設備。這類設備不僅成本高，更需要高度專業技術配合，因此中國若欲自行研發，短期內面臨重重阻礙。專家指出，中國在政策誘導下投入巨資於先進設備與技術，但成果與成本效益仍受質疑。
外媒披露，中國即便透過逆向工程打造出號稱EUV曝光機的原型設備，但該機尚未量產1顆晶片，距離實際商業應用還有多年差距。這顯示技術挑戰的巨大落差，而非快速突破的證據。
「漢芯1號」 中國首宗晶片造假案
近年中國為提高「半導體自主率」，在地方政府與產業基金的推動下，吸引大量資金投入晶片製造項目。但隨著時間推移，許多項目陷入停滯甚至「吸金」危機，成為資本泡沫的一部分。
早在2000年代初，中國就出現轟動市場的「假芯事件」。當時「海歸派」陳進從美國購買摩托羅拉晶片，將標誌物磨除後印上「漢芯1號」，打著中國第一個自主設計、生產及封測的系統單晶片愛國旗號，讓上海市人民政府樂得為其發表宣傳。
陳進先後向國家各部門成功申請40多個研究項目，累計騙取科研經費超過人民幣1億元，甚至還用假的「漢芯」芯片申請了12項國家專利，騙了4年多各式補助，才被網上匿名舉報造假。
另外武漢弘芯（HSMC）也是很早被外界廣泛提及的案例之一。這家公司在2017年成立時，聲稱將投資超過人民幣1280億元打造先進晶片製造能力，目標包括建立14奈米和7奈米製程產線。
然而，項目未能如預期推進，最終於2020年遭遇資金鏈斷裂，並於2021年遣散所有員工，實際無晶片量產，項目成為中國半導體投資泡沫的經典案例之一。
「武漢弘芯案」引人關注的是，包括政府部門在內的大量資金投入，卻未能產生實質產出，外界一度批評此類項目更像是「吸金騙局」。報導指出，弘芯等項目一開始透過地方政府背景與高額投資承諾吸引投資者與人才，比如挖角台灣及國際資深工程師，甚至高調在當地舉行慶典，塑造出一種強烈發展勢頭。
外行人成立晶片廠 多為吸金詐騙
這種外界所見的「盛大排場」背後，實際技術基礎與人才儲備不足，導致資金迅速消耗、項目停擺。中國半導體產業中，類似的現象並非罕見，曾出現多個因缺乏技術基礎或過度依賴資金補助而失敗的項目，例如規模達人民幣598億元的濟南泉芯項目也被報導陷入停滯與欠薪危機，引發外界對操盤者誠信與能力的質疑。
據媒體分析，這類項目背後常見問題包括使用吸引人才與投資的浮誇頭銜、利用政府與市場熱情吸金，以及投資與實際能力不匹配。
此外，財經媒體分析指出，這種由「外行人」建立的晶片項目，往往誇大技術宣稱和產出數據，實際上與全球先進製程存在巨大差距，使得投資者與地方政府成為最大的受害者：巨額投入可能化為泡影。
偷技術是中國慣用技倆
《南華早報》報導表示，為了遏止這類資金浪潮中的不當行為，中國證券監管機構曾對個別半導體相關企業的財報提出異議，然而，業界分析指出，儘管監管加強，但詐騙性投資風險仍然存在，尤其是在政府補貼龐大、地方競爭激烈的情況下。
與以上投資詐騙風險並行的是另一類挑戰：技術外洩與競爭風險。南韓檢方近日起訴包括三星電子前高階主管，與研發人員在內多名人士，指控他們將三星開發的10奈米級動態隨機存取記憶體（DRAM） 核心製程技術，非法洩露給中國記憶體企業長鑫存儲。
這類案件並非首起。早前亦有報導指出，南韓SK海力士曾有中國籍員工，因涉嫌向華為等中國企業洩漏內部技術文件而被起訴。這類事件突顯一個現象：在中國與外國企業互動頻繁、資金與人力流動擴大之下，產業競爭與投資熱潮不僅可能帶來經濟機會，也伴隨著知識產權風險與資金安全問題。
綜合外媒觀察，中國半導體投資雖雄心勃勃，但從EUV光刻機原型到過去弘芯、泉芯等案例顯示，高額投入與技術基礎不足之間存在顯著落差。《南華早報》指出，中國部分半導體項目因技術基礎不足與管理經驗缺失，導致資金快速消耗、項目停擺，甚至引發投資泡沫與吸金風險。
隨著全球半導體競爭加劇，《路透》就指出，中國在高端製程與核心設備上的技術落差與投資風險，仍是國際關注焦點。專家認為，唯有真正掌握技術自主、建立完善的監管與風險控管機制，才能在國際市場中保持競爭力。自由時報1228
