路透近日披露，中國逆向工程方式，打造出製造先進半導體不可或缺的設備「極紫外光機」（EUV）原型機，美國科技新聞網站《Tom’s Hardware》報導，要對一台超過10萬個元件的複雜機台進行逆向工程，任務艱鉅，中國使用自製EUV生產晶片，可能是10年後的事了。
該報導說，論到先進曝光設備，必須牢記這有賴於將精密光源、先進光學元件、超精密機械工程、複雜的控制軟體與專用材料無縫整合，所有這些都在奈米級公差範圍內運作。路透的報導並未提及該原型機的機械系統狀況，外界對於晶圓堆疊系統、晶圓平台或光罩平台模組一無所悉，而所有這些對機台的運作與良率至關重要。
中國深圳祕密實驗室打造的原型機與早期設備差距甚遠，目前甚至無法光刻晶圓，2006年艾司摩爾（ASML）的工具就能做到這一點，11年後該公司交付其第1台Twinscan NXE:3400B系統，以製造7奈米至5奈米製程晶片。
路透披露，該原型機是由包含ASML前工程師以及應屆大學畢業生組成的團隊所「開發」。據稱，這群約100多人的大學畢業生專門做逆向工程。然而，令人費解的是，這些中國工程師如何進行逆向工程？因為荷商ASML未曾出售EUV給中國，更遑論教導中國員工如何維護遭禁運的EUV系統。
該文指出，對一個超過10萬個元件的機器進行逆向工程是艱鉅任務，需要數以百計具備相關知識的工程師齊心努力，畢竟，ASML的Twinscan NXE是一個有10萬多個元件整合運作的機器，而不僅是所有元件的加總。
該原型機採用與ASML相通的雷射產生電漿（LPP）方式，產生13.5奈米EUV光源，這或許顯示其廣泛對西方技術進行逆向工程，而非採用本土替代方法。然而在複製ASML約校車大小、重180公噸的EUV系統失敗後，該原型機數倍大於EUV，無法生產可用晶片，而且顯然欠缺其他元件，尤其是德商蔡司的超精密光學元件，事實上，中國原型機的光源功率、光學子系統的成熟度，以及關鍵機械零件的狀態等細節外界仍不清楚。
儘管中國希望2028生產出可用晶片，路透的消息來源認為2030年較為實際，然而該努力大幅依賴對前ASML工程師的招聘，以及對現有EUV進行逆向工程，該設備不僅難以研發，也極難製造，中國目前拆解與組裝團隊是否真能讓一台具有10萬多個元件的超複雜機器完美運作，並量產半導體，實有待觀察。自由時報1223
